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IGBT作為一種新型電力電子器件，被公認(rèn)為第三大電力電子器件。廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子)、航空航天、國(guó)防軍工等行業(yè)，以及軌道交通、新能源、智能...
IGBT作為一種新型電力電子器件，被公認(rèn)為第三大電力電子器件。廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子)、航空航天、國(guó)防軍工等行業(yè)，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。
隨著IGBT下游新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)IGBT模塊的需求也在逐步擴(kuò)大。新興產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展將繼續(xù)推動(dòng)IGBT市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)。除了國(guó)內(nèi)對(duì)IGBT替代品的需求，我們預(yù)計(jì)a股市場(chǎng)將誕生一批值得長(zhǎng)期投資的企業(yè)。
1、IGBT:功率半導(dǎo)體皇冠上的明珠
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種新型的電力電子器件。
IGBT在電力電子行業(yè)被稱為“CPU”，也被稱為電力半導(dǎo)體皇冠上的明珠。盡管IGBT組成的一個(gè)復(fù)合電力半導(dǎo)體器件是機(jī)器和MOSFET、IGBT具有開關(guān)速度高、高輸入阻抗、小功率控制,簡(jiǎn)單的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路和低開關(guān)損耗,和傳導(dǎo)的優(yōu)勢(shì)低電壓,大開態(tài)電流和低損耗的是機(jī)器。因此，IGBT是電力電子領(lǐng)域一種理想的開關(guān)器件，也是未來(lái)應(yīng)用和發(fā)展的主要方向。
IGBT作為一種新型電力電子器件，被公認(rèn)為第三大電力電子器件。結(jié)合中國(guó)工業(yè)信息網(wǎng)絡(luò)作為新的功率半導(dǎo)體器件的主流設(shè)備,IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4 c(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子)、航空航天、國(guó)防和軍事工業(yè),以及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),如軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源車輛。
據(jù)悉，IGBT模塊是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心部件，其成本約占整車成本的10%，占充電樁成本的20%。新能源汽車的爆炸式發(fā)展(動(dòng)力模塊)極大的推動(dòng)了IGBT市場(chǎng)的發(fā)展。根據(jù)國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指導(dǎo)意見(2015-2020年)》，到2020年，國(guó)內(nèi)充電站數(shù)量將達(dá)到12000個(gè)，分散的充電樁數(shù)量將超過480萬(wàn)個(gè)。2020年，國(guó)內(nèi)新能源汽車充電樁(站)直接市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1320億元。今年3月，充電樁與5g、數(shù)據(jù)中心一起被納入新的基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展計(jì)劃，這必將加速該行業(yè)的發(fā)展。充電樁市場(chǎng)的快速發(fā)展也將推動(dòng)IGBT等半導(dǎo)體功率器件的需求快速增長(zhǎng)。
此外，軌道交通、配電網(wǎng)建設(shè)、直流輸電、工業(yè)控制等都將為IGBT提供巨大的需求市場(chǎng)。據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)預(yù)測(cè)，到2020年，國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將超過200億元。
2、IGBT市場(chǎng)由歐美壟斷，國(guó)內(nèi)替代迫在眉睫
目前全球IGBT市場(chǎng)主要由英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、安森和abb占據(jù)，根據(jù)中國(guó)工業(yè)信息網(wǎng)的數(shù)據(jù)，全球前五大IGBT制造商的市場(chǎng)份額為74%。與此同時(shí)，從400V及以下的傳統(tǒng)IGBT市場(chǎng)到4500V以上的IGBT市場(chǎng)，海外廠商IGBT產(chǎn)品的市場(chǎng)地位十分明顯。
在國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)，國(guó)外廠家也占據(jù)了50%以上的市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)替代空間很大。為了使IGBT模塊國(guó)產(chǎn)化，實(shí)現(xiàn)“獨(dú)立控制”，需要完成IGBT模塊和IGBT芯片的進(jìn)口替代。
目前，IGBT國(guó)產(chǎn)化已成為國(guó)家半導(dǎo)體器件開發(fā)之一，IGBT也被列為國(guó)家“02專項(xiàng)”扶持項(xiàng)目，相關(guān)行業(yè)已進(jìn)入快速發(fā)展階段。
在市場(chǎng)需求的吸引下，一批有IGBT相關(guān)經(jīng)驗(yàn)的海外華人回國(guó)加入了IGBT行業(yè)。與此同時(shí)，大量的國(guó)家資金流入了IGBT行業(yè)。我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)化水平得到了一定程度的提高，部分企業(yè)已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。
